Doppio gruppo della lastra di silicio della soluzione industriale di pulizia in concentrato

Doppio gruppo della lastra di silicio della soluzione industriale di pulizia in concentrato

Per le lastre di silicio il più efficacemente pulite, produttori dei siliconi raccomandano la seguente lista dei punti di pulizia:

Punto uno: Solvente pulito

Solventi di uso delle imprese manifatturiere a semiconduttore per rimuovere con successo gli oli ed i residui organici dalla superficie delle lastre di silicio. Mentre i solventi rimuovono questi contaminanti, i solventi stessi realmente lasciano il residuo sulla superficie dei wafer pure. Per questo motivo, un metodo del due-solvente è implementato per assicurare che il wafer sia restituito ad un agente inquinante liberamente dichiari. Il metodo di pulizia solvente è descritto qui sotto:

Prepari due bagni, un contenitore di vetro con l'acetone ed un altro con metanolo.

Disponga il contenitore dell'acetone su una piastra riscaldante per riscaldare l'acetone ad una temperatura di non non più di 55°C.

Una volta che caldo, inzuppi la lastra di silicio nel bagno dell'acetone per 10 minuti.

Dopo che il bagno dell'acetone è completo, rimuova la lastra di silicio e dispongala nel contenitore del metanolo per 5 minuti.

Una volta che il tempo è su, rimuova il wafer dal metanolo e dal risciacquo in DI l'water.

Asciughi col phon la lastra di silicio con azoto.

Punto due: RCA-1 puliscono

Quelli nell'industria manufatturiera a semiconduttore poi usano RCA pulito per rimuovere il residuo organico. RCA pulito ossida il silicio e fornisce uno strato protettivo sottile dell'ossido alla superficie del wafer. Il metodo di pulizia RCA-1 è descritto qui sotto:

Cominci la preparazione di un bagno di RCA combinando 5 parts DI l'water e 1 parte di idrossido di ammonio (27%).

Disponga il contenitore di RCA su una piastra riscaldante per riscaldare la soluzione ad una temperatura di approssimativamente 70°C.

Una volta che questa temperatura è stata raggiunta, rimuova il contenitore dalla piastra riscaldante ed aggiunga il perossido di idrogeno di 1 parte (30%). La soluzione bollirà dopo un minuto o due.

Una volta che la soluzione comincia a bollire, inzuppi la lastra di silicio per circa 15 minuti.

Quando il tempo è su, rimuova il wafer dal bagno di RCA e dispongalo in un contenitore con DI l'water, cambiante i tempi multipli dell'acqua completamente di risciacquare la soluzione.

Dopo questo processo, rimuova il wafer dal contenitore sotto acqua corrente per assicurarsi che nessun residuo dalla superficie dell'acqua attacchi al wafer.

Punto tre: Immersione dell'acido fluoridrico (HF)

Le imprese manifatturiere a semiconduttore poi implementano la tappa finale, una immersione di HF, per eliminare il diossido di silicio dalla superficie della lastra di silicio. È importante notare che l'HF è un prodotto chimico pericoloso, in modo dai produttori dei siliconi raccomandano quell'ingranaggio protettivo, quali i guanti pesanti e l'usura dell'occhio, è indossata sempre durante questo punto. Il processo della immersione di HF è descritto qui sotto:

Crei un contenitore della immersione di HF combinando 480 ml di acqua con un'HF di 20 ml. Utilizzi sempre un becher del polipropilene rispetto ad un becher di vetro come l'HF è conosciuta per reagire pericolosamente quando entr inare contatto con tutto il materiale di vetro.

Dopo avere creato la soluzione, inzuppi la lastra di silicio per 2 minuti.

Una volta che il tempo è su, rimuova il wafer ed il risciacquo sotto running DI l'water.

Esegua una prova della bagnabilità versando DI l'water sulla superficie del wafer. Se l'acqua si trasforma nelle piccole perle e rotola fuori, saprete che la superficie è idrofoba ed esente dagli ossidi.

Asciughi col phon la lastra di silicio con azoto.

L'esecuzione delle operazione di cui sopra raccomandate dai produttori dei siliconi aiuterà quei commerci nell'industria manufatturiera a semiconduttore per sormontare le sfide di contaminazione alle lastre di silicio.

Parametro tecnico della soluzione di pulizia della lastra di silicio

La nostra fabbrica

La fabbrica riguarda una superficie di 26653 metri quadri, la costruzione dell'officina dell'officina della classe A, della classe di C, magazzino della classe di C, un magazzino ed altre facilità ausiliarie. Coinvoluzione dei più di 100 generi di specie chimiche. Una capacità di produzione di 11000 tonnellate/anno.

In primo luogo, il profilo di produzione della società

1. officina classa c
La C, 2#, 1# officina con 3#, linee di produzione 7# quattro, facendo uso dell'attrezzatura di produzione chiusa, compreso 1#, 2#, produzione linea per linea di automazione 3# ed ha messo la linea di riempimento liquida completamente automatica due, riempiente le specifiche dalla latta 1L~25L. Gli ingredienti sono effettuati in un'area sigillata separata. Secondo i requisiti della varietà del prodotto, la sala di controllo centrale della linea di produzione classa c è fornita di tutti i tipi di di strumenti e di sensori per formare una pluralità di sistemi di controllo.

2. Classe un'officina
Classe un'officina con un miscelatore di tre assi e gli insiemi ad alta velocità della macchina tre della dispersione di due, professionali fornire tutti i tipi di produzione della mano e della pittura.

3. Magazzino di C
La superficie della costruzione del magazzino di C di più di 3300 metri quadri ed ha una zona di fuoco, può essere usata per la classificazione delle materie prime e dei prodotti finiti chimici.

4. Un magazzino
La superficie della costruzione di due magazzini di più di 1400 metri quadri ed ha una zona di fuoco, può essere usata per la a, le categorie di B di materie prime chimiche e lo stoccaggio classificato prodotti finiti.

5. Altre facilità
La fabbrica ha facilità di un trattamento delle acque del professionista, capacità d'elaborazione di 20T/d, dopo il trattamento delle acque reflue poichè l'acqua ripresa per produzione. La fabbrica è fornita di quattro insiemi dell'attrezzatura del trattamento del gas di scarico, tutte le facilità del trattamento del gas di scarico dopo le norme di scarico.